一、核心產品矩陣：覆蓋成熟制程全場景需求

1. STi-301 I 線投影步進式光刻機（核心旗艦產品）

與進口設備相比，STi-301 *大的優勢在于交付周期大幅縮短至 12 個月以內，而國際同類產品的交付周期通常長達 24-36 個月。這一突破直接解決了國內晶圓廠擴產過程中 "等設備" 的痛點，為企業搶占市場先機創造了關鍵時間窗口。目前，STi-301 已成功發貨并進入客戶驗證階段，標志著國產民營 I 線光刻機正式邁向產業化應用。 

2. 二手光刻設備翻新與升級服務

3. 關鍵零部件與定制化解決方案

芯東來掌握了光刻機核心子系統的設計與制造技術，可提供物鏡系統、照明系統、精密運動平臺、對準傳感器等關鍵零部件的國產化替代和定制開發服務。同時，公司能夠根據客戶的特殊工藝需求，對光刻機進行針對性改造，如針對厚膠光刻、深硅刻蝕、晶圓級封裝等工藝的專用設備定制。  
 

二、核心技術優勢：構建差異化競爭壁壘

1. 系統化模塊化設計技術

2. 精密裝調與對準技術

3. 全流程工程化能力

三、應用領域：賦能半導體產業關鍵環節

1. 功率半導體

2. MEMS 與傳感器

3. 先進封裝

4. 化合物半導體

磷化銦 (InP)、砷化鎵 (GaAs) 等化合物半導體是制造 5G/6G 射頻器件、光電子器件的核心材料。這些材料的制造工藝與傳統硅基半導體有很大不同，對光刻設備的波長、對準精度和工藝兼容性有特殊要求。芯東來的設備針對化合物半導體工藝進行了專門優化，能夠為射頻和光電子器件制造提供有力支持。  

四、精密熱控：光刻設備性能提升的核心支撐與未來合作展望

• 晶圓加熱臺：需要對 6-12 英寸晶圓進行均勻加熱，全域溫差控制在 ±0.5℃以內，滿足光刻膠烘烤、顯影等工藝要求

• 光學元件溫控：需要對物鏡、反射鏡等精密光學元件進行**溫度控制，防止熱變形影響成像質量

• 腔體恒溫系統：需要保持光刻機內部腔體溫度恒定，波動范圍不超過 ±0.1℃

• 工件臺加熱：需要對晶圓吸盤進行均勻加熱，補償晶圓翹曲帶來的誤差

• 管路防冷凝加熱：需要對氣體管路、液體管路進行加熱，防止工藝氣體冷凝 
  

1. 高精度大面積均勻加熱技術

2. 超薄柔性加熱技術

3. 遠紅外穿透式加熱技術

針對厚膠光刻工藝，坂口電熱的遠紅外穿透式加熱技術利用遠紅外線的穿透特性，能夠實現光刻膠從內到外的均勻固化，避免出現 "表干里不干" 的現象，大幅提升圖形質量和邊緣清晰度。這一技術特別適合 MEMS 和功率半導體工藝中常用的厚膠光刻環節。 

 

4. 定制化解決方案能力